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- 型号： NSBA143TDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143TDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143TDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA143TDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143TDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143TDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA143TDXV6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含R1=47 kΩ、R2=47 kΩ），采用SOT-563（6引脚小尺寸封装），含两个独立的NPN数字晶体管（Digital Transistor, DTC），具有高集成度、简化外围电路、提升可靠性等优势。 典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与信号缓冲：在MCU（如STM32、PIC）I/O口驱动能力不足时，用于将3.3 V/5 V TTL/CMOS逻辑电平安全、可靠地转换为更高电流或电压负载所需的驱动信号； 2. LED/小型负载驱动：常用于消费电子（如电视背光控制、键盘指示灯、家电面板LED）中，直接驱动多路LED或小型继电器线圈（≤100 mA），无需外接基极限流电阻； 3. 输入接口保护与信号整形：在工业HMI、传感器接口板中，作为ESD防护后的信号调理单元，抑制噪声、整形开关信号（如按钮、限位开关输入）； 4. Buck/DC-DC辅助控制电路：在电源管理模块中用于使能（EN）、故障反馈（FAULT）等低速数字信号的隔离与电平适配； 5. 空间受限的便携设备：得益于SOT-563微型封装及双通道集成，广泛应用于TWS耳机充电仓、智能手环主板、IoT传感器节点等对PCB面积敏感的场景。 该器件具备±8 kV HBM ESD防护、-55℃~+150℃宽温工作范围，符合AEC-Q101（车规级）标准，亦适用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号控制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143TDXV6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA143TDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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