Datasheet下载- 型号： NSBA124XDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA124XDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA124XDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA124XDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA124XDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA124XDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA124XDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1/R2），采用SOT-563（SC-88）封装，含两个NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA/DTV配置）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等低功率负载，简化外围偏置电路设计。 2. LED驱动与指示灯控制：常用于消费电子（如手机、耳机、智能穿戴设备）的多路LED背光或状态指示，节省PCB空间并提高可靠性。 3. 信号开关与缓冲：在便携式设备中用作I/O端口扩展开关，实现低功耗、高速（fT约250 MHz）信号切换。 4. 电源管理辅助电路：用于电池供电设备中的使能控制（EN/CTRL）、复位信号调理或LDO/DC-DC芯片的反馈/使能接口。 5. 汽车电子基础应用：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级），可用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键传感器信号调理、灯光控制等。 其集成基极-发射极和基极-地电阻（典型值R1=22 kΩ, R2=47 kΩ），支持直接连接CMOS/TTL电平，无需外接偏置电阻，显著减少元件数量、提升装配效率与一致性。工作温度范围宽（−55°C 至 +150°C），适合严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA124XDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA124XDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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