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- 型号： NSBA123JDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123JDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123JDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA123JDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123JDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123JDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA123JDXV6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置偏置电阻（预偏置），采用SOT-563封装（6引脚），内含两个独立的NPN晶体管（双通道），每通道集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻（典型R1 = R2 = 2.2 kΩ），支持直接逻辑电平驱动（如3.3 V/5 V MCU GPIO），无需外接偏置电路。 典型应用场景包括： 1. 数字信号切换与逻辑电平转换：用于微控制器I/O口扩展，驱动LED、小型继电器或蜂鸣器等低功率负载； 2. 电源管理中的负载开关：在便携设备中作为高效、紧凑的低压侧开关，控制模块供电通断； 3. 接口保护与缓冲电路：在通信接口（如UART、I²C上拉辅助）中提供电流缓冲和隔离，提升抗干扰能力； 4. 消费电子与工业控制板卡：如打印机、家电主控板、传感器信号调理电路中，替代分立偏置方案，节省PCB面积并提高可靠性； 5. 汽车电子（AEC-Q101认证型号）：适用于车身控制模块（BCM）、照明控制、风扇驱动等对温度稳定性与长期可靠性要求较高的12 V系统。 其高集成度、小尺寸、ESD防护（HBM > 8 kV）及宽工作温度范围（–55°C 至 +150°C）使其特别适合空间受限、需简化设计且注重量产一致性的嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123JDXV6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA123JDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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