Datasheet下载- 型号： NSBA123EDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA123EDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA123EDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1、R2），采用SOT-563封装（6引脚），内含两个NPN型晶体管，共发射极配置，适合数字逻辑接口与信号切换应用。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与驱动：如将3.3V/5V MCU GPIO信号安全驱动至继电器、LED或小功率MOSFET栅极，预偏置设计简化外围电路，无需外接基极限流电阻； 2. 多路开关/信号选通：利用双通道结构实现两路独立的低速数字信号开关（如I²C总线缓冲、状态指示灯控制）； 3. 电源管理辅助电路：在DC-DC或LDO模块中用于使能（EN）信号调理、欠压锁定（UVLO）检测输出级或电源状态指示； 4. 工业I/O模块：作为PLC输入端的光电耦合器后级信号整形，或输出端驱动小型电磁阀、蜂鸣器等容性/感性负载（需注意其连续集电极电流IC≤100mA，功耗较低，不适用于大功率负载）； 5. 消费电子待机控制：在TV、机顶盒等设备中实现主控与外设（如USB供电开关、背光调光）之间的低功耗唤醒/关断控制。 该器件具有高直流电流增益（hFE典型值160）、快速开关特性（tON/tOFF约220ns/100ns）及ESD防护（HBM 8kV），适用于空间受限、追求BOM精简与可靠性的中低速数字接口场景。不推荐用于线性放大或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA123EDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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