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  • 型号: NSBA115EDXV6T1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA115EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA115EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA115EDXV6T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBA115EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBA115EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBA115EDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的内置偏置电阻型NPN双极结型晶体管(BRT),集成了两个100 kΩ基极-发射极和基极-集电极偏置电阻(R₁ = R₂ = 100 kΩ),典型hFE为160,最大连续集电极电流IC为100 mA,VCEO为50 V,采用超小型SOT-563(SC-89)封装。

其主要应用场景包括:  
✅ 数字逻辑接口与电平转换:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载,简化外围电路(无需外接基极限流电阻)。  
✅ LED驱动:在便携设备(如手机背光、指示灯)中直接驱动低电流LED,提升PCB空间利用率与可靠性。  
✅ 开关应用:作为高速开关(fT ≈ 250 MHz),适用于DC-DC转换器中的辅助控制信号、电源使能(EN)电路、负载开关等。  
✅ 传感器信号调理:在低功耗传感节点中用作光电晶体管/霍尔元件的信号放大或开关缓冲级。  
✅ 消费电子与IoT设备:因尺寸小(1.6 × 1.6 × 0.6 mm)、功耗低、一致性高,广泛用于TWS耳机、智能手表、无线模块等对面积和BOM成本敏感的产品。

该器件符合AEC-Q101(车规级)标准,亦可用于部分车载信息娱乐系统中的非安全相关开关功能(如按键背光、状态指示)。  

简言之,NSBA115EDXV6T1适用于需高集成度、小体积、免外部偏置的中低功率通用开关与驱动场景。
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