【未分类_NSBA114TDXV6T5G】封装/厂家_NSBA114TDXV6T5G中文资料_价格

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型号： NSBA114TDXV6T5G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114TDXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114TDXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA114TDXV6T5G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NSBA114TDXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114TDXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBA114TDXV6T5G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（SC-89）超小型封装，含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA）。其典型应用场景包括：

1. 逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如MCU、FPGA）I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化外围电路（无需外接基极限流电阻）；  
2. 信号开关与负载控制：在消费电子（如手机、可穿戴设备）、物联网终端中，用作低功耗、小电流（IC≤100mA）开关，控制指示灯、传感器使能信号等；  
3. 总线缓冲/多路复用：双通道结构便于并行控制两路负载（如RGB LED中的两色通道、双路传感器使能）；  
4. 替代传统分立方案：节省PCB面积与BOM成本，提升装配可靠性，适用于空间受限的便携式设备。

该器件具备高直流电流增益（hFE≈160）、低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ 5mA/50mA），支持3.3V/5V系统，工作温度范围-55℃~+150℃，符合AEC-Q101标准（车规级），亦可用于车载信息娱乐系统的非安全相关模块。注意：不适用于大功率或高频开关（>10MHz）场景。

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