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- 型号： NSBA114TDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114TDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114TDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA114TDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114TDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114TDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA114TDXV6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（SC-89）微型封装，含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA）。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化外围偏置电路设计； - 便携式电子设备中的信号开关：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，实现低功耗、高集成度的负载开关控制； - LED背光/指示灯驱动：利用其内置电阻实现恒流限幅，直接驱动单颗或多颗小电流LED（<100mA），节省PCB空间； - I/O端口扩展与缓冲：在IO资源受限系统中，作为简易反相器或开关单元，提升驱动能力并增强抗干扰性； - 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级），适用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键信号调理、传感器状态指示等。 该器件具有低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.3V @ Ic=10mA）、快速开关特性及ESD防护能力，显著减少外围元件数量，提高系统可靠性与生产良率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114TDXV6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114TDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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