Datasheet下载- 型号： NSBA113EDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA113EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA113EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA113EDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA113EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA113EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA113EDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个NPN晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10kΩ），采用SOT-563（SC-88）微型封装，支持6引脚配置（双通道共射、独立输入/输出）。 该器件主要面向空间受限、需简化外围电路的低功耗数字开关与逻辑接口应用。典型应用场景包括： ✅ 微控制器I/O扩展：直接驱动LED指示灯、小型继电器或蜂鸣器，无需外置偏置电阻，节省PCB面积； ✅ 逻辑电平转换：在3.3V MCU与5V外围设备间实现简单单向电平适配（如使能信号、复位信号调理）； ✅ 数字信号缓冲/反相：利用其开关特性实现信号整形或驱动能力增强（典型VCE(sat)≈0.3V @ IC=10mA）； ✅ 便携式电子设备：如智能穿戴、IoT传感器节点中用于按键扫描、状态切换等低速开关控制； ✅ 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），适用于车身控制模块中的非安全关键信号调理。 其预偏置设计显著降低设计复杂度、提升一致性与可靠性，特别适合对BOM成本、贴片效率及长期稳定性有要求的消费类与工业级应用。不推荐用于线性放大、高频开关（>10MHz）或大电流驱动（IC连续＞100mA）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA113EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA113EDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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