Datasheet下载- 型号： NSA5.0AFT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSA5.0AFT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSA5.0AFT3G价格参考。ON SemiconductorNSA5.0AFT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSA5.0AFT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSA5.0AFT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Littelfuse Inc. 的 NSA5.0AFT3G 是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护敏感电子元件免受瞬态电压脉冲的损害。该器件具有低击穿电压和快速响应时间，适用于需要高可靠性静电放电（ESD）和浪涌保护的应用场景。 NSA5.0AFT3G 常用于便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备，用于保护数据接口（如USB、HDMI、音频插孔）和电源线路免受日常使用中的静电冲击。此外，它也广泛应用于通信设备、工业控制系统和汽车电子模块中，例如车载信息娱乐系统和传感器接口，以提升系统的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力。 该TVS二极管采用紧凑型表面贴装封装（SOD-323），适合高密度PCB布局，同时具备低电容特性，确保对高速信号传输的影响最小，因此特别适用于高速数据线的保护。其额定峰值脉冲功率为350W（8/20μs波形），钳位电压低，能有效将瞬态过电压限制在安全范围内，从而延长设备寿命并提高运行稳定性。 综上所述，NSA5.0AFT3G 适用于对空间、响应速度和保护性能要求较高的电子设备中，是现代电子系统中实现可靠ESD和浪涌防护的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMATVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SMA-FL TVS 400W 5V |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor NSA5.0AFT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSA5.0AFT3G |
| 不同频率时的电容 | 2450pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | * |
| 击穿电压 | 6.7 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | * |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SMA |
| 峰值浪涌电流 | 43.5 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 5 V |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 9.2V |
| 电容 | 2450 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 43.5A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | NSA5.0AFT3G |
| 钳位电压 | 9.2 V |
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