【未分类_NRVBM120ET1】封装/厂家_NRVBM120ET1中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NRVBM120ET1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NRVBM120ET1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NRVBM120ET1价格参考。ON SemiconductorNRVBM120ET1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NRVBM120ET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NRVBM120ET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NRVBM120ET1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双共阴极肖特基势垒整流器阵列，采用SOT-23-3封装，具有低正向压降（典型值0.45 V @ 1 A）、快速开关特性及120 V反向重复峰值电压（VRRM），最大平均整流电流为2 × 300 mA（每单元）。  

其主要应用场景包括：  
1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表等对能效和空间敏感的设备中，用于USB接口或电池充电路径中的防反接、电源路径选择（Power Path Management）及同步整流辅助电路；  
2. DC-DC转换器次级侧整流：在小型升压/降压模块（如白光LED驱动、PMIC供电电路）中替代传统硅二极管，降低导通损耗、提升转换效率；  
3. 极性保护与反向电流阻断：利用双单元结构实现冗余设计或双路独立供电路径的隔离保护（如主备电源切换）；  
4. 低功耗IoT节点与传感器模块：在能量采集系统或纽扣电池供电系统中，提供低压差、低漏电（IR < 1 µA @ 100 V）的整流与保护功能。  

该器件不含铅、符合RoHS标准，适用于高可靠性、小尺寸、高能效要求的消费类及工业级嵌入式应用。注意其额定电流较小，不适用于大功率场景。

产品参数图文手册常见问题