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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NP90N04VLG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP90N04VLG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP90N04VLG-E1-AY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NP90N04VLG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP90N04VLG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP90N04VLG-E1-AY 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-252(DPAK)封装,具有 40V 耐压、90A 连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 3.0 mΩ @ Vgs=10V),并具备逻辑电平驱动能力(Vgs(th) 低至 1.0–2.5V),支持 3.3V/5V MCU 直接驱动。 该器件典型应用于中高功率、高频开关场景,包括: ✅ DC-DC 电源转换:如服务器/通信设备中的同步整流 Buck 转换器、POL(负载点)电源,利用其低 Rds(on) 提升效率、降低温升; ✅ 电机驱动:用于无人机电调(ESC)、电动工具、风扇/泵的 H 桥或单路驱动电路,支持大电流脉冲与快速开关; ✅ 电池管理系统(BMS):作为电池保护电路中的充放电主控 MOSFET,配合保护 IC 实现过流、短路和反接保护; ✅ LED 驱动与照明电源:在高亮度 LED 恒流驱动或智能调光电源中作 PWM 开关管; ✅ 工业控制与自动化:PLC 输出模块、电磁阀/继电器驱动等需高可靠性、强抗干扰能力的场景。 其 AEC-Q101 认证(注:需确认具体批次是否符合,但该系列常用于车规级设计)及宽温度范围(–55°C 至 +175°C)亦支持部分车载辅助系统(如座椅加热、水泵控制)应用。 综上,NP90N04VLG-E1-AY 适用于对效率、热性能与驱动简易性要求较高的中大功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NP90N04VLG-E1-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 45A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | NP90N04VLG-E1-AYTR |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |