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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NP90N04VDG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP90N04VDG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP90N04VDG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP90N04VDG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP90N04VDG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP90N04VDG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RNS品牌的NP90N04VDG-E1-AY是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约3.8 mΩ @ Vgs=10V）、额定电压40V、连续漏极电流高达90A（Tc=25℃），具备高效率、快速开关和良好热稳定性等特点。 该器件主要适用于中大功率直流开关与电源管理场景，典型应用包括： - 电动工具与园林设备驱动：作为BLDC电机的相桥臂下管或H桥驱动开关，承受脉冲大电流； - 工业电源与DC-DC转换器：在同步整流BUCK电路中用作主开关管，提升转换效率； - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护板中的充放电控制与过流切断； - 车载电子设备：如车灯LED驱动、车载USB快充模块的功率开关； - UPS及储能系统：在逆变/升压电路中承担高频开关任务。 其AEC-Q101兼容设计（注：需以官方数据手册确认具体认证状态）及优化的雪崩耐量，亦支持一定严苛工况。实际选型时需注意PCB散热设计、栅极驱动匹配（推荐10–12V驱动）及SOA（安全工作区）限制，避免瞬态过压或热失效。建议查阅RNS原厂规格书获取最新参数与应用指南。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP90N04VDG-E1-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 45A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | NP90N04VDG-E1-AYCT |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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