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- 型号： NP82N04MLG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N04MLG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N04MLG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N04MLG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP82N04MLG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP82N04MLG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP82N04MLG-S18-AY 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有 82A 连续漏极电流、40V 耐压及极低导通电阻（典型 RDS(on) ≈ 3.5 mΩ @ VGS = 10 V），支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.0–2.0 V），开关速度快、热性能优异。 其典型应用场景包括： ✅ 中大功率直流电机驱动（如电动工具、风扇、泵类控制），可高效实现 PWM 调速与正向启停； ✅ 开关电源（SMPS）次级同步整流或 DC-DC 降压转换器（如 12V/24V→5V/3.3V）中的高效率主开关； ✅ 电池供电系统保护电路，如锂电池组的充放电保护板（配合保护 IC 实现过流/短路保护）； ✅ 工业 PLC 输出模块、固态继电器（SSR）及负载开关，用于控制照明、电磁阀、加热元件等阻性/感性负载； ✅ 车载电子辅助系统（符合 AEC-Q101 可靠性标准），适用于汽车座椅调节、车窗升降、LED 大灯驱动等 12V/24V 系统。 该器件强调高可靠性、低导通损耗与强抗雪崩能力，适用于需频繁开关、持续大电流及紧凑散热设计的中高功率场景。注意实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、PCB 散热铜箔（≥10 cm²）及过压/ESD 防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP82N04MLG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 900 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A （Tc） |
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