图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NP80N055PDG-E1B-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N055PDG-E1B-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N055PDG-E1B-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N055PDG-E1B-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N055PDG-E1B-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N055PDG-E1B-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RNS品牌的NP80N055PDG-E1B-AY是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有80A连续漏极电流（ID）、55V耐压（VDS）、低导通电阻（典型RDS(on)仅3.2mΩ @ VGS=10V），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具备优良的热性能和开关效率。 该器件主要应用于中高功率直流开关场景，典型包括： - DC-DC电源转换：如车载充电机（OBC）、通信电源、工业电源中的同步整流与主开关管； - 电机驱动：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇/泵驱动等H桥或半桥拓扑； - 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护开关或均衡电路中的主动开关元件； - LED驱动电源：在恒流驱动电路中承担PWM调光开关功能； - 智能家电与工业控制：如变频空调压缩机驱动、PLC输出模块、固态继电器（SSR）等需高频、低损耗通断的场合。 其低RDS(on)和优化栅极电荷（Qg）特性有助于降低导通损耗与开关损耗，提升系统能效；TO-252封装兼顾散热性与PCB布局灵活性，适合自动化贴片生产。需注意设计时合理配置栅极驱动（避免振荡）、加强PCB铜箔散热，并配合TVS或RC缓冲电路以抑制电压尖峰，确保长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP80N055PDG-E1B-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 其它名称 | NP80N055PDG-E1B-AYDKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NP80N055PDG-E1B-AY 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商