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- 型号： NP80N04NDG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N04NDG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N04NDG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N04NDG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N04NDG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N04NDG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N04NDG-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有80A连续漏极电流、40V耐压、低导通电阻（典型Rds(on) ≈ 3.2mΩ @ Vgs=10V）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源模块，提升转换效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动下管，支持高频PWM调速； 3. 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护回路中的主控开关或均衡开关，具备快速关断与过流保护能力； 4. LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中作为开关管，实现高效调光与热管理； 5. 工业控制与电源适配器：如PLC输出模块、AC-DC副边同步整流、大电流USB PD快充方案等。 该器件集成ESD防护与雪崩耐量设计，可靠性高，配合S18（优化栅极电荷Qg≈65nC）参数，兼顾开关速度与驱动损耗，适合中高频（≤500kHz）、大电流、低电压（≤40V）的硬开关应用。需注意PCB布局散热与驱动电压（推荐10–12V栅极驱动）以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP80N04NDG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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