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- 型号： NP80N03MLE-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N03MLE-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N03MLE-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N03MLE-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N03MLE-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N03MLE-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N03MLE-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLL（Thin Outline Leadless）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约2.0 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=80A，脉冲可达240A）及优异的热性能。 其主要应用场景包括： ✅ 高效率DC-DC电源模块：如通信基站、服务器电源中的同步整流与主开关管，得益于低Rds(on)和低Qg，可显著降低导通与开关损耗； ✅ 电动工具与电池供电设备：用于BLDC电机驱动的上/下桥臂，支持大电流瞬态响应，配合TOLL封装实现紧凑高功率密度设计； ✅ 工业变频器与UPS系统：在中等功率逆变单元中承担高频开关任务，具备良好的雪崩耐量（UIS）与抗dv/dt能力，提升系统可靠性； ✅ 车载OBC（车载充电机）辅助电源或高压侧开关：符合AEC-Q101部分要求（需确认具体批次认证），适用于12V/48V轻混系统中的功率级控制。 该器件强调高功率密度与散热性能，TOLL封装底部为裸铜散热焊盘，适配PCB铜箔散热设计，适合空间受限但对热管理要求严苛的应用。不建议用于线性区长时间工作或未加栅极驱动保护的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP80N03MLE-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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