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- 型号： NP161N04TUG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP161N04TUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP161N04TUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP161N04TUG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP161N04TUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP161N04TUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP161N04TUG-E1-AY 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用UFD（Ultra-Fast Diode）封装（如DFN5x6），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.6 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=160A）、快速开关特性及内置优化体二极管。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备的同步整流BUCK转换器、POL（Point-of-Load）模块，提升效率并减小温升； 2. 电动工具与工业电机驱动：作为H桥或半桥中的主开关，支持高频PWM控制，满足大电流、高可靠性需求； 3. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电保护电路（如主动均衡、主回路切断），利用其低Rds(on)降低功耗与发热； 4. 汽车电子辅助系统：适用于车载DC/DC变换器、LED车灯驱动、电子助力转向（EPS）等AEC-Q101兼容应用（该型号符合工业级温度范围–55°C~+175°C，部分版本通过车规认证）； 5. UPS与储能系统：在逆变器输出级或电池侧开关中承担高效能量双向流通任务。 该器件强调高功率密度与热性能，适合空间受限且需持续大电流工作的场景。实际选型时需结合驱动电压（推荐10V以上充分增强）、PCB散热设计及雪崩耐量（EAS=420mJ）综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP161N04TUG-E1-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 345nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160A （Tc） |
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