| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD50T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD50T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD50T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD50T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD50T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NJVMJD50T4G的晶体管由ON Semiconductor生产,属于双极型晶体管(BJT)中的一种。该晶体管主要用于需要高效能和高可靠性的场景,例如汽车电子系统、工业控制设备以及电源管理系统。 在汽车电子领域,该晶体管可用于发动机控制单元、车身电子模块和车载充电系统,其高稳定性和耐高温特性能够满足汽车复杂工作环境的需求。在工业控制领域,它适用于电机驱动、继电器控制和自动化设备中的信号放大与开关操作。 此外,NJVMJD50T4G也适用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器和稳压电路,能够有效提升系统能效并降低功耗。其封装形式(如表面贴装封装)也使其适用于现代电子产品中对空间和散热有较高要求的设计。 总体而言,这款晶体管适合应用于对性能和可靠性要求较高的汽车、工业和电源管理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP NPN 1A 400V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVMJD50T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 300mA,10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 200µA |
| 频率-跃迁 | 10MHz |