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  • 型号: NJVMJD44H11RLG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD44H11RLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD44H11RLG价格参考。ON SemiconductorNJVMJD44H11RLG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD44H11RLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD44H11RLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为NJVMJD44H11RLG的ON Semiconductor双极性晶体管(BJT)主要应用于需要高可靠性和稳定性的电子电路中。该器件属于达林顿晶体管阵列,内部包含多个晶体管组合,以提高电流增益和驱动能力,常用于以下场景:

1. 工业控制:用于工业自动化设备中的继电器驱动、电机控制及传感器信号放大,其高电流增益和耐压能力可提升系统稳定性。

2. 电源管理:适用于开关电源、DC-DC转换器等功率电路中,作为开关元件或电流调节模块,实现高效能电能转换。

3. 汽车电子:由于其良好的温度稳定性和可靠性,适合用于汽车电子系统如车灯控制、电动窗驱动、车载充电模块等。

4. 消费类电子产品:在音响功放、家用电器(如电风扇、洗衣机)的电机控制电路中,提供高效的信号放大与负载驱动能力。

5. 自动化设备与机器人:用于驱动继电器、电磁阀、步进电机等执行机构,实现精准控制。

该器件采用表面贴装封装,适用于自动化生产,具备良好的散热性能和抗干扰能力,适合在中高功率应用中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS BIP NPN 8A 80V DPAK-4

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NJVMJD44H11RLG

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

供应商器件封装

DPAK-3

功率-最大值

1.75W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

晶体管类型

NPN

标准包装

1,800

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

8A

电流-集电极截止(最大值)

1µA

频率-跃迁

85MHz

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