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  • 型号: NJVMJD32CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD32CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD32CT4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD32CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD32CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD32CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NJVMJD32CT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型中功率晶体管,常用于中等电流和电压的开关及放大应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:广泛应用于DC-DC转换器、电压调节器和电源开关电路中,作为开关元件控制电流通断,提高能效。

2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,用作控制信号的放大与功率切换,适用于家电、电动工具和工业控制设备。

3. 照明控制:可用于LED驱动电路,特别是在需要脉宽调制(PWM)调光的场合,实现高效稳定的亮度控制。

4. 继电器与电磁阀驱动:作为驱动继电器或电磁阀的开关元件,能够承受感性负载带来的反向电动势,具备良好的可靠性和耐用性。

5. 消费类电子产品:如电视、音响、充电器等设备中的信号放大与电源控制模块。

6. 汽车电子:由于该型号为符合AEC-Q101标准的汽车级器件,因此也适用于车载系统,如车灯控制、风扇电机驱动、车身控制模块等,能在较宽温度范围(-55°C至150°C)稳定工作。

NJVMJD32CT4G采用SOT-223封装,具有良好的散热性能,适合高密度贴装设计。其高电流增益和低饱和压降特性,有助于提升系统效率并减少发热。总体而言,该器件适用于对可靠性与稳定性要求较高的工业、消费及汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN BIPO 3A 100V DPAK达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 3A 100V TR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJVMJD32CT4G-

数据手册

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产品型号

NJVMJD32CT4G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.2V @ 375mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 3A,4V

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

DPAK-3

功率-最大值

1.56W

功率耗散

15 W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

3 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK

工厂包装数量

2500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大工作温度

+ 150 C

最大集电极截止电流

50 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

2,500

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

20µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

25

系列

MJD32C

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极连续电流

3 A

频率-跃迁

3MHz

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