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  • 型号: NJD35N04T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJD35N04T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJD35N04T4G价格参考¥2.95-¥6.87。ON SemiconductorNJD35N04T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJD35N04T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJD35N04T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NJD35N04T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型功率双极晶体管(BJT),属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别的产品。该型号具有低饱和电压、高增益和快速开关特性,适用于多种电力电子应用场景。以下是 NJD35N04T4G 的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   该晶体管可作为开关元件用于开关模式电源中,例如降压、升压或反激式转换器。其低饱和电压(Vce(sat))特性有助于提高效率并减少功率损耗。

2. 电机驱动  
   NJD35N04T4G 适合用于小型直流电机的驱动电路。它能够承受较高的电流,并且具备良好的开关性能,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备中的电机控制。

3. 音频放大器  
   在功率音频放大器中,该晶体管可以用作输出级驱动器,提供高效的信号放大功能。其高增益特性有助于实现更好的音频质量。

4. 负载开关和保护电路  
   由于其快速开关特性和耐受能力,NJD35N04T4G 能够用作负载开关,保护电路免受过流、短路或其他异常情况的影响。

5. 继电器驱动和电磁阀控制  
   该晶体管可以用来驱动继电器线圈或控制电磁阀的通断,适用于工业控制、汽车电子和家用设备领域。

6. 脉宽调制(PWM)应用  
   在需要 PWM 信号处理的应用中,如 LED 驱动、风扇速度控制等,NJD35N04T4G 的快速开关能力和低功耗特点非常适用。

总之,NJD35N04T4G 凭借其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和精确控制的场景中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJD35N04T4G-

数据手册

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产品型号

NJD35N04T4G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 20mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

2000 @ 2A,2V

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

DPAK-3

功率-最大值

45W

功率耗散

45 W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

Press Fit

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252-3 (D-PAK)

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

2,500

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V

系列

NJD35N04

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

700 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

90MHz

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