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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJD35N04T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJD35N04T4G价格参考¥2.95-¥6.87。ON SemiconductorNJD35N04T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJD35N04T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJD35N04T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJD35N04T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型功率双极晶体管(BJT),属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别的产品。该型号具有低饱和电压、高增益和快速开关特性,适用于多种电力电子应用场景。以下是 NJD35N04T4G 的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) 该晶体管可作为开关元件用于开关模式电源中,例如降压、升压或反激式转换器。其低饱和电压(Vce(sat))特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 NJD35N04T4G 适合用于小型直流电机的驱动电路。它能够承受较高的电流,并且具备良好的开关性能,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备中的电机控制。 3. 音频放大器 在功率音频放大器中,该晶体管可以用作输出级驱动器,提供高效的信号放大功能。其高增益特性有助于实现更好的音频质量。 4. 负载开关和保护电路 由于其快速开关特性和耐受能力,NJD35N04T4G 能够用作负载开关,保护电路免受过流、短路或其他异常情况的影响。 5. 继电器驱动和电磁阀控制 该晶体管可以用来驱动继电器线圈或控制电磁阀的通断,适用于工业控制、汽车电子和家用设备领域。 6. 脉宽调制(PWM)应用 在需要 PWM 信号处理的应用中,如 LED 驱动、风扇速度控制等,NJD35N04T4G 的快速开关能力和低功耗特点非常适用。 总之,NJD35N04T4G 凭借其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和精确控制的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DARL NPN 4A 350V DPAK达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJD35N04T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NJD35N04T4G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 20mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 2000 @ 2A,2V |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
功率-最大值 | 45W |
功率耗散 | 45 W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | Press Fit |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 (D-PAK) |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 2,500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V |
系列 | NJD35N04 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
集电极—基极电压VCBO | 700 V |
集电极连续电流 | 4 A |
频率-跃迁 | 90MHz |