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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NILMS4501NR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NILMS4501NR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NILMS4501NR2价格参考。ON SemiconductorNILMS4501NR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NILMS4501NR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NILMS4501NR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NILMS4501NR2 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用小型无铅 SOT-23（SOT-23R）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 35 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）和快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路，得益于小尺寸、低功耗与逻辑电平兼容（可直接由1.8V/3.3V MCU GPIO驱动）。 ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为高效整流开关，提升转换效率。 ✅ 电机/继电器驱动：用于微型直流电机（如振动马达）、蜂鸣器或小功率电磁阀的PWM控制，支持高频开关（>1 MHz）。 ✅ USB端口过流保护与热插拔控制：配合电流检测电路实现快速限流与断开保护。 ✅ 工业与IoT传感器节点：在低功耗无线模块（如BLE、Zigbee）中用作外设供电使能开关，降低待机功耗。 该器件具备ESD防护（HBM ±2 kV）、符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分版本），亦适用于汽车电子辅助系统（如车身控制模块中的小负载驱动）。其SOT-23R封装优化了散热与贴装良率，适合高密度PCB布局。 注意：实际应用需关注最大漏源电压（Vds = 30 V）、连续漏极电流（Id = 4.5 A @ TC = 25°C）、结温限制及PCB铜箔散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 电流感测 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NILMS4501NR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 4-PLLP |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-DFN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta） |
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