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- 型号： NGD8205NT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD8205NT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD8205NT4价格参考。ON SemiconductorNGD8205NT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGD8205NT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD8205NT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGD8205NT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双通道N沟道逻辑电平MOSFET（非IGBT），采用SO-8封装，内部集成两个匹配的60V/5.5A（连续）低导通电阻（Rds(on)典型值为35mΩ @ Vgs=10V）MOSFET，常用于高效率、小体积的电源与负载开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电池保护电路（如智能手机、TWS耳机、蓝牙音箱中的充放电管理IC配套MOSFET），用于实现过流、过压、短路及反向充电保护； ✅ 电动工具与小型家电的电机驱动H桥低端开关（配合外部高端驱动），适用于12–24V系统； ✅ USB Type-C接口的VBUS功率开关或热插拔保护，利用其低导通损耗和快速开关特性提升能效； ✅ LED驱动电源中的同步整流或PWM调光开关； ✅ DC-DC转换器（如Buck拓扑）的同步整流管，提升转换效率（尤其在中低功率段）。 需注意：该器件为双N-MOS共源共栅结构，无体二极管反向续流能力（两管背靠背连接），因此特别适合双向电流阻断应用（如电池保护板中的充放电路径独立控制），可有效防止电池反接或意外倒灌。 不适用于高压（>60V）、大电流（持续>5A）或高频（>1MHz）场景，且需配合合适栅极驱动（推荐Vgs ≥ 4.5V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 125W DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD8205NT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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