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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NE5511279A-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5511279A-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5511279A-A价格参考。CELNE5511279A-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE5511279A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5511279A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | CEL |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频MOSFET晶体管 UHF Band RF Power |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,CEL NE5511279A-A |
| 产品型号 | NE5511279A-A |
| Pd-PowerDissipation | 20 W |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 功率耗散 | 20 W |
| 商标 | CEL |
| 增益 | 15 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/箱体 | 79A |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.0023 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 输出功率 | 40 dBm |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 6 V |
| 频率 | 900 MHz |
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