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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5230DR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5230DR2价格参考。ON SemiconductorNE5230DR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NE5230DR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE5230DR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 NE5230DR2 是一款双通道、低功耗运算放大器,属于线性放大器类别,广泛应用于需要高精度信号处理的场合。其典型应用场景包括便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的传感器信号调理,用于放大来自温度、压力、加速度等传感器的微弱信号。由于其低功耗特性,非常适合电池供电系统,有助于延长设备续航时间。 NE5230DR2 也常用于音频放大电路中,作为前置放大器或缓冲器,提升音质并驱动后续电路。在工业控制与测量设备中,该器件可用于数据采集系统、模拟滤波电路以及精密电压跟随器,确保信号传输的稳定性和准确性。此外,它还可用于电源管理电路中的反馈环路,提高电源调节的响应速度和稳定性。 该器件具有宽工作电压范围、低输入偏置电流和良好的共模抑制比,适合在噪声环境较复杂的系统中使用。其SOIC-8封装形式便于PCB布局,适用于空间受限的应用场景。总体而言,NE5230DR2 凭借其可靠性能和灵活性,广泛服务于消费电子、工业控制、医疗设备及通信系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| -3db带宽 | - |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC |
| 产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE5230DR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 压摆率 | 0.25 V/µs |
| 增益带宽积 | 600kHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 放大器类型 | 通用 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源,单/双 (±) | 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V |
| 电压-输入失调 | 400µV |
| 电流-电源 | 1.1mA |
| 电流-输入偏置 | 40nA |
| 电流-输出/通道 | 32mA |
| 电路数 | 1 |
| 输出类型 | 满摆幅 |