Datasheet下载- 型号： NE3520S03-T1C-A
- 制造商： CEL
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3520S03-T1C-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3520S03-T1C-A价格参考￥6.52-￥6.95。CELNE3520S03-T1C-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3520S03-T1C-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3520S03-T1C-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3520S03-T1C-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能砷化镓（GaAs）增强型pHEMT射频MOSFET，专为2–6 GHz频段优化。其典型应用场景包括： - 5G小基站（Small Cell）与毫微微基站（Femtocell）：凭借高增益（典型14 dB @ 3.5 GHz）、高效率（PAE >35% @ 3.5 GHz）和良好线性度，适用于Sub-6 GHz 5G NR频段（如n78, 3.3–3.8 GHz）的末级功率放大器（PA）。 - Wi-Fi 6/6E前端模块（FEM）：支持2.4 GHz、5 GHz及6 GHz（UNII-5~8）频段，适用于高吞吐量路由器、企业级AP和无线网桥中的射频功率放大。 - 点对点微波通信系统：用于2.4–5.8 GHz ISM频段的短距回传链路，满足低噪声、高OIP3（>35 dBm）要求，保障信号完整性。 - 雷达与传感应用：如车载77 GHz雷达的本地振荡器（LO）缓冲放大器（需搭配倍频链路），或工业/安防领域的24 GHz/60 GHz毫米波系统的中频/射频驱动级。 该器件采用超小型SC-70（SOT-323）封装，支持表面贴装，具备良好的热稳定性和ESD防护（HBM >2 kV），适合紧凑型高密度射频PCB设计。需配合匹配网络与偏置电路使用，推荐工作电压Vds=5 V，Idq≈60 mA（Class AB）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE3520S03-T1C-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | S03 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.65dB |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 20GHz |
| 额定电流 | 70mA |
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