图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NE3517S03-T1D-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3517S03-T1D-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3517S03-T1D-A价格参考。CELNE3517S03-T1D-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3517S03-T1D-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3517S03-T1D-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3517S03-T1D-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能GaAs pHEMT射频MOSFET，专为微波/射频功率放大应用优化。其典型应用场景包括： - 无线通信基础设施：用于4G LTE及5G Sub-6 GHz基站的末级驱动级或中功率输出级放大器（如2.3–2.7 GHz频段），具备高增益（>15 dB）、高PAE（功率附加效率约40% @ 2.5 GHz）和良好线性度； - 微波点对点回传系统：适用于E-band（如24–28 GHz）或ISM频段（如2.4 GHz、5.8 GHz）的中继链路发射模块，支持高数据速率传输； - 雷达与传感系统：在汽车雷达（24 GHz）、工业雷达或安防传感器中用作低噪声、高稳定性的射频放大器； - 测试测量设备：集成于矢量网络分析仪（VNA）、信号源等射频前端模块，提供宽带增益与优良匹配特性（输入/输出内置DC阻隔与偏置电路）。 该器件采用SOT-343（SC-70）小型封装，支持表面贴装，工作电压+5 V，静态电流仅约30 mA，兼顾能效与集成度，适用于空间受限、需高可靠性与温度稳定性的商用与工业级射频设计。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NE3517S03-T1D-A 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商