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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSE45H11由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSE45H11价格参考。Fairchild SemiconductorKSE45H11封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 10A 40MHz 1.67W 通孔 TO-220-3。您可以下载KSE45H11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSE45H11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSE45H11 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电路: KSE45H11 可用于各种开关应用中,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制。由于其高增益特性,能够在低基极电流下实现高效的开关操作。 2. 信号放大: 该晶体管适用于音频信号放大器、传感器信号调理等场景。其良好的线性特性和低噪声性能使其成为信号放大的理想选择。 3. 电源管理: 在直流-直流转换器或低压差稳压器(LDO)中,KSE45H11 可用作输出级晶体管以调节电流和电压。 4. 保护电路: 它可用于过流保护、短路保护和其他安全相关的电路设计中,确保系统在异常条件下能够正常工作。 5. 通信设备: 在低功率射频(RF)模块或无线通信设备中,KSE45H11 可作为小信号放大器或调制解调器的一部分。 6. 工业自动化: 在工业控制系统中,该晶体管可以用于驱动电磁阀、步进电机或其他执行机构,支持精确的电流控制。 7. 消费电子产品: 包括家用电器、玩具和便携式设备中的简单控制功能,如电池充电管理、指示灯控制等。 总之,KSE45H11 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效电流控制和信号放大的场合。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 80V 10A TO-220两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSE45H11- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSE45H11 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 2A,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | KSE45H11-ND |
| 功率-最大值 | 1.67W |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 200 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | KSE45 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1 V |
| 集电极连续电流 | - 10 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |