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- 型号： NDH832P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDH832P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDH832P价格参考。Fairchild SemiconductorNDH832P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDH832P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDH832P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDH832P 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.2Ω @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5nC）和高开关速度等特点。其额定电压为−30V，连续漏极电流为−2.9A（TA=25°C），适用于低压、小功率开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 负载开关：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用作电源路径管理或外设供电的高效关断控制，实现低静态功耗与快速启停； ✅ 电池保护电路：在单节锂电（≤3.7V）系统中，作为充放电回路中的反向阻断或过流保护开关（常与充电IC或保护IC协同工作）； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中，作为低压侧同步整流管，提升转换效率（尤其在轻载时）； ✅ 逻辑电平驱动接口：兼容1.8V/3.3V GPIO直接驱动（因具备低阈值电压VGS(th) ≈ −0.7V至−1.3V），适用于MCU或FPGA控制的信号切换、LED背光调光、传感器供电使能等。 其小尺寸SOT-23封装和高可靠性（符合AEC-Q101标准的部分版本）也使其适用于空间受限的工业控制模块、IoT节点及消费类电子电源管理子系统。需注意：使用时应合理设计PCB散热焊盘，并避免超过SOA（安全工作区）限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NDH832P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Ta） |
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