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- 型号： NDD60N360U1-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD60N360U1-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD60N360U1-1G价格参考。ON SemiconductorNDD60N360U1-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD60N360U1-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD60N360U1-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDD60N360U1-1G 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，典型参数：VDSS = 360 V，ID（连续）= 60 A，RDS(on) ≈ 36 mΩ（VGS = 10 V），采用TO-247封装，具备低导通损耗、高雪崩耐量及良好热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、服务器/通信电源中的主开关管或同步整流管； ✅ 电机驱动：适用于中小功率变频器、BLDC电机控制器（如风机、泵类驱动）的逆变桥臂； ✅ 新能源设备：光伏逆变器的DC侧开关、储能系统（ESS）中的电池管理与充放电控制； ✅ 感应加热与电磁炉：作为高频（20–100 kHz）半桥/全桥功率开关，利用其快速开关特性和抗dv/dt能力； ✅ UPS不间断电源：在线式UPS的逆变级输出开关，承担高效率、高可靠性的功率转换任务。 该器件内置体二极管具有较短反向恢复时间（trr），有助于降低开关损耗和EMI；同时通过AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦可拓展至车载充电机（OBC）等车规边缘应用（需确认具体版本资质）。 注意：实际设计中需配合优化栅极驱动（推荐12–15 V驱动电压）、合理PCB布局及散热设计（建议加装散热器），以充分发挥其性能并确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 114A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NDD60N360U1-1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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