Datasheet下载- 型号： NDD04N50ZT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD04N50ZT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD04N50ZT4G价格参考。ON SemiconductorNDD04N50ZT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD04N50ZT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD04N50ZT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDD04N50ZT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，典型参数：VDSS = 500 V，ID（连续）= 4.0 A，RDS(on) ≈ 1.4 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与良好雪崩耐量。 其主要应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的PFC（功率因数校正）电路及主功率开关级，适用于中等功率（约20–60 W）场合； ✅ 离线式DC-DC转换器：在反激（Flyback）、正激（Forward）拓扑中作为主开关管，满足高电压隔离与效率要求； ✅ 工业控制与家电：如电机驱动（小功率风扇、泵类）、电磁阀/继电器驱动、智能电表电源模块等需可靠高压开关的场景； ✅ 照明电子：LED路灯/工矿灯恒流驱动电路中的高频开关元件； ✅ 辅助电源与待机电源：为系统主控芯片提供稳定低压供电的辅助绕组侧开关器件。 该器件具备良好的热稳定性与抗dv/dt能力，配合简单驱动即可实现高效、低EMI运行，适合对成本、可靠性与设计简易性有综合要求的中高压通用开关应用。注意需合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热（加装散热片）及过压保护（如RCD钳位）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAKMOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDD04N50ZT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDD04N50ZT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 61 W |
| Pd-功率耗散 | 61 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 308pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NDD04N50ZT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 61W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.7 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 配置 | Single |
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