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- 型号： NCP3418DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP3418DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP3418DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP3418DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCP3418DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCP3418DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP3418DR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能双通道MOSFET栅极驱动器，专为同步降压（Buck）DC-DC转换器设计。其典型应用场景包括：服务器与通信设备中的CPU/GPU核心供电（VRM/VRD模块）、工业电源、网络交换机/路由器的板级电源管理，以及中高功率（如12V输入、输出电流达20A+）的POL（Point-of-Load）稳压系统。该器件集成高低边驱动、自举二极管、欠压锁定（UVLO）、死区时间控制及热关断保护，支持高达1.5MHz开关频率，可高效驱动N沟道MOSFET上下管，显著提升电源效率与动态响应。因其SOIC-8封装（带散热焊盘）和宽工作电压范围（4.5V–13.2V），也适用于紧凑型、高密度PCB布局的嵌入式电源设计。注意：不适用于半桥电机驱动或高压隔离场景，需配合外部PWM控制器（如NCP3420/NCP3421等）使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NCP3418DR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 延迟时间 | 30ns |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | 4.6 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 高端和低端，同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 30V |
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