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详细数据请看参考数据手册
- 型号： N0600N-S17-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供N0600N-S17-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 N0600N-S17-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSN0600N-S17-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载N0600N-S17-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有N0600N-S17-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
N0600N-S17-AY 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约6Ω @ Vgs=10V）、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为60V，连续漏极电流ID为150mA（Tc=25℃），适用于低压、小功率、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备中的负载开关（如蓝牙耳机、可穿戴设备的电源管理模块），用于控制外围电路供电启停； ✅ LED驱动电路中的电流开关与调光控制（尤其适用于单颗或小串LED的恒流/脉冲驱动）； ✅ 电池供电系统的反向电流保护与电源路径管理（如USB供电切换、充电管理IC的辅助开关）； ✅ 工业与消费类IoT节点中的信号级电源隔离、传感器供电使能控制； ✅ 作为逻辑电平兼容的驱动器件，配合MCU（如瑞萨RA系列）GPIO直接驱动，实现低功耗待机唤醒控制。 该器件强调高可靠性、小尺寸和热性能优化，适合空间受限、对BOM成本与设计简洁性要求较高的嵌入式系统。需注意其功率能力有限，不适用于大电流或高功率转换场景（如电机驱动、DC-DC主开关）。实际应用中建议参考瑞萨官方Datasheet进行PCB布局（如充分铺铜散热）及驱动电压匹配（推荐Vgs ≥ 4.5V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | N0600N-S17-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1380pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 15A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带子 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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