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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MZ0912B50Y,114
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MZ0912B50Y,114由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MZ0912B50Y,114价格参考。NXP SemiconductorsMZ0912B50Y,114封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MZ0912B50Y,114参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MZ0912B50Y,114 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MZ0912B50Y,114 是 NXP USA Inc. 推出的射频双极结型晶体管（RF BJT），专为高频、高功率放大应用优化。其典型工作频率达 1.2 GHz（适用于 UHF 频段），具备高增益（fₜ ≈ 7 GHz）、良好线性度及高输出功率能力（P1dB 约 10 W，典型值），采用陶瓷金属封装（SOT113A），散热性能优异。 主要应用场景包括： - 陆地移动通信基站：用于中继台、集群通信系统中的末级功率放大器（PA）； - 专业无线设备：如对讲机、应急通信终端、PMR（Professional Mobile Radio）和TETRA系统的射频功放模块； - 工业与航空通信：VHF/UHF 频段（30–1000 MHz）的固定台站、车载电台发射链路； - 宽带射频放大：适用于 400–960 MHz 宽带放大设计，支持多频段兼容系统； - 模拟/数字调制系统：适配FM、AM、P25、DMR等调制方式，满足低失真与高效率要求。 该器件需配合匹配网络与稳定电路使用，常与NXP配套驱动器（如BFU760F）协同设计。不适用于毫米波或超低噪声接收前端，属发射侧中高功率放大器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR POWER NPN SOT443A |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MZ0912B50Y,114 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 933994040114 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 8dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-443A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 4 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 频率-跃迁 | 1.215GHz |
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