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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MXSMLJ5.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXSMLJ5.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXSMLJ5.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMXSMLJ5.0AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXSMLJ5.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXSMLJ5.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MXSMLJ5.0AE3是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于电路中的过电压保护。该器件属于表面贴装型双向TVS二极管，具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等特点。 其主要应用场景包括： 1. 通信设备：用于保护以太网、USB、RS-485等通信接口免受静电放电（ESD）和浪涌电压的损害。 2. 工业控制系统：在PLC、变频器、传感器等设备中，保护控制电路和信号线路不受外部电磁干扰或雷击引起的电压尖峰影响。 3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等，用于保护敏感的IC和数据线路免受静电损坏。 4. 汽车电子系统：适用于车载娱乐系统、导航模块及CAN总线通信接口的瞬态电压防护。 5. 电源管理系统：在DC-DC转换器、电池充电管理电路中提供过压保护，提升系统稳定性与安全性。 总之，MXSMLJ5.0AE3广泛应用于需要对低压电子电路进行高效瞬态电压抑制和静电防护的各种场景，保障电子设备在复杂电磁环境下的稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10563-msml-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXSMLJ5.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB |
| 其它名称 | 1086-15052 |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 9.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 326A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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