Datasheet下载- 型号： MXP6KE13AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXP6KE13AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXP6KE13AE3价格参考。MICRO-SEMIMXP6KE13AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXP6KE13AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXP6KE13AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的MXP6KE13AE3是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），属于高功率瞬态保护器件，主要用于电子电路中的过电压和静电放电（ESD）防护。 该型号典型应用场景包括：通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统、电源模块、汽车电子系统以及消费类电子产品。其额定反向击穿电压约为13V，能有效保护敏感电子元件免受雷击感应、电源浪涌及静电冲击等瞬态高压事件的损害。 MXP6KE13AE3采用轴向引线封装，具有高脉冲功率承受能力（可达6000W峰值脉冲功率），响应速度快（皮秒级），可迅速将瞬态过电压钳位于安全水平，确保后级电路稳定运行。常用于直流电源线、信号线路及接口端口（如RS-485、CAN总线）的过压保护。 此外，在汽车电子中，该器件可用于保护车载信息娱乐系统、传感器模块及控制单元，抵御负载突降（Load Dump）等引起的电压浪涌。在工业环境中，适用于PLC、电机驱动器等需高可靠保护的场合。 综上，MXP6KE13AE3适用于需要高可靠性、高能量吸收能力的瞬态电压防护场景，尤其适合严苛电磁环境下的直流供电与信号线路保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC T18 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9518-mp6ke-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXP6KE13AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 其它名称 | 1086-13060 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11.1V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 33A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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