Datasheet下载- 型号： MXLSMCJLCE11AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMCJLCE11AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMCJLCE11AE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMCJLCE11AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXLSMCJLCE11AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMCJLCE11AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的MXLSMCJLCE11AE3是一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于高功率瞬态保护器件。该型号主要用于电子电路中的过压保护，特别适用于可能遭受雷击、电感负载切换或静电放电（ESD）等瞬态干扰的场景。 其典型应用场景包括：通信设备（如基站、光纤网络接口）、工业控制系统、电源输入端口、汽车电子模块以及户外电子设备等。由于具备较高的峰值脉冲功率（通常可达1500W以上）和低钳位电压特性，MXLSMCJLE11AE3能有效吸收突发的高压浪涌，保护后级敏感元器件（如IC、微处理器、传感器等）免受损坏。 该器件采用SMC封装，体积小，适合表面贴装，便于集成在紧凑型PCB设计中。同时，其响应速度快（皮秒级），可在瞬态过压发生的瞬间迅速导通，将电压钳制在安全范围内。工作温度范围宽（通常为-55°C至+150°C），适应严苛环境下的稳定运行。 综上，MXLSMCJLCE11AE3广泛应用于需要高可靠性瞬态保护的工业、通信和汽车领域，是保障电子系统长期稳定运行的重要防护元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10562-msmclce-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMCJLCE11AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 100pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-12232 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 82A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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