Datasheet下载- 型号： MXLSMCJ7.5CAE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMCJ7.5CAE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMCJ7.5CAE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMCJ7.5CAE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXLSMCJ7.5CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMCJ7.5CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下公司）的MXLSMCJ7.5CAE3是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），属于SMCJ系列，采用双向设计，主要用于电路的过压保护。其击穿电压约为7.5V，适用于保护敏感电子元件免受瞬态高压脉冲的损害。 该器件典型应用场景包括： 1. 工业控制系统：用于PLC、传感器和通信接口中，防止雷击或开关噪声引起的电压浪涌。 2. 电源管理电路：在直流电源输入端提供ESD（静电放电）和EFT（电快速瞬变）保护，提升系统可靠性。 3. 通信设备：应用于以太网端口、RS-485、CAN总线等接口，保护数据线路免受瞬态干扰。 4. 消费类电子产品：如机顶盒、显示器和智能家居设备，用于增强抗干扰能力和产品耐用性。 5. 汽车电子：在车载信息娱乐系统或辅助电源模块中，应对负载突降（Load Dump）等瞬态过压事件。 MXLSMCJ7.5CAE3具有高浪涌吸收能力（可达1500W）、低钳位电压和快速响应时间（皮秒级），能有效抑制瞬态过压，确保后级电路安全。其表面贴装SMC封装便于自动化生产，适合空间受限的应用环境。广泛用于需高可靠性和强电磁兼容性的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10561-msmc-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMCJ7.5CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-12192 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.33V |
| 电压-反向关态（典型值） | 7.5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 12.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 116.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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