Datasheet下载- 型号： MXLSMCJ6.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMCJ6.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMCJ6.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMCJ6.0AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXLSMCJ6.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMCJ6.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MXLSMCJ6.0AE3是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的损害。其额定击穿电压为6.0V，适用于低压电路保护。 该器件常见应用场景包括： 1. 通信设备：用于保护以太网接口、USB端口、HDMI等高速数据线路，防止静电和瞬态电压损坏敏感IC。 2. 工业控制系统：保护PLC、传感器、工业计算机等设备中的电路免受电感负载开关引起的电压尖峰影响。 3. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备的数据线和电源接口保护。 4. 汽车电子：用于车载娱乐系统、控制模块和传感器接口的瞬态电压保护。 5. 电源管理电路：在DC电源输入端提供过压和浪涌保护，确保后级电路稳定工作。 该TVS二极管具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等优点，适用于对电路保护要求较高的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10561-msmc-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMCJ6.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-12170 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.67V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 145.6A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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