Datasheet下载- 型号： MXLSMBJ11CAE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMBJ11CAE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMBJ11CAE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMBJ11CAE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXLSMBJ11CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMBJ11CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MXLSMBJ11CAE3是一款双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、雷击浪涌和其它瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于对可靠性要求较高的场景。 典型应用场景包括： 1. 通信设备：用于保护以太网、USB、HDMI等高速数据接口，防止ESD和浪涌电压造成芯片损坏。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器和工业计算机中提供电源和信号线路的瞬态保护。 3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，用于保护充电口和数据接口。 4. 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、ECU模块和CAN总线接口的瞬态电压防护。 5. 网络与电信设备：保护交换机、路由器和基站中的敏感电路免受外部浪涌影响。 该TVS器件采用SMB表面贴装封装，便于PCB布局，适合需要空间紧凑和高保护性能的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMBJ11CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBJ（DO-214AA） |
| 其它名称 | 1086-11564 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 33A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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