| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MURF1660CTG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MURF1660CTG价格参考。ON SemiconductorMURF1660CTG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MURF1660CTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MURF1660CTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MURF1660CTG 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款二极管整流器阵列,属于高效能、低正向压降的肖特基整流器。该器件具有低功耗和高效率的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - MURF1660CTG 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块中,作为续流或同步整流的一部分,提供高效的能量转换。 - 在反激式或正激式转换器中,该器件可以作为输出整流器,减少功率损耗并提高系统效率。 2. 电机驱动 - 在无刷直流电机(BLDC)或其他电机驱动电路中,MURF1660CTG 可以用作自由轮二极管,吸收电机绕组中的反电动势,保护驱动电路免受过压损坏。 3. 太阳能光伏系统 - 该器件可用于光伏电池板的旁路二极管,防止在部分遮荫条件下电流倒流,从而保护电池板并优化发电效率。 4. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,例如车载充电器、LED 驱动器或逆变器中,MURF1660CTG 的低正向压降特性有助于降低热损耗,提高整体可靠性。 - 也可用于保护汽车电路免受负载突降(Load Dump)等瞬态电压的影响。 5. 消费电子产品 - 适用于笔记本电脑适配器、手机快充适配器以及其他便携式设备的充电电路中,提供高效的电能转换。 - 在音频放大器或其他低功耗设备中,可用作整流或保护元件。 6. 工业自动化 - 在工业控制领域,如 PLC、伺服驱动器或机器人控制系统中,MURF1660CTG 可用于整流、续流或保护功能,确保系统的稳定运行。 特性总结 MURF1660CTG 的低正向压降(典型值为0.4V)和高浪涌能力使其非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。此外,其紧凑的封装形式(如TO-252/DPAK)也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 600V 8A TO220FP整流器 600V 16A Ultrafast |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,ON Semiconductor MURF1660CTGSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MURF1660CTG |
| PCN组件/产地 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 8A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 600V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | MURF1660CTGOS |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 反向电压 | 600 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 恢复时间 | 60 ns |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 100 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 1.5 V at 8 A |
| 正向连续电流 | 16 A |
| 热阻 | 3°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 600V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 8A |
| 系列 | MURF1660CT |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual Common Cathode |