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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUR1100EG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUR1100EG价格参考。ON SemiconductorMUR1100EG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUR1100EG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUR1100EG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MUR1100EG是一款快速恢复整流二极管,主要应用于需要高效、低损耗电力转换的场景。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS):MUR1100EG适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器和DC-DC转换器。其高电压额定值(1000V)和低反向恢复时间(典型值为50ns)使其能够在高频开关条件下保持高效运行。 2. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,该二极管用于将直流电转换为交流电。其快速恢复特性有助于减少开关损耗,提高整体效率。 3. 电机驱动:用于工业自动化和家用电器中的电机驱动电路,MUR1100EG可以有效处理电机产生的反电动势,保护电路并确保稳定运行。 4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,这款二极管可用于电池充电和放电管理,确保电力供应的连续性和稳定性。 5. 功率因数校正(PFC)电路:在需要功率因数校正的应用中,MUR1100EG可以帮助提高输入功率因数,降低谐波失真,满足严格的电磁兼容性要求。 6. 电焊机:在焊接设备中,该二极管用于整流电路,提供稳定的直流输出以支持高质量的焊接过程。 7. 充电桩:在电动汽车充电桩中,MUR1100EG可用于高压直流输出部分,确保快速充电的同时维持系统的可靠性。 总之,MUR1100EG凭借其高耐压能力、低反向恢复时间和高电流处理能力,非常适合用于高压、高频和大功率应用场合,能够显著提升电力电子设备的性能和效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ULTRA FAST 1KV 1A AXIAL整流器 1000V 1A UltraFast |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,ON Semiconductor MUR1100EGSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUR1100EG |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.75V @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1000V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | MUR1100EG-ND |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 100ns |
| 反向电压 | 1000 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 恢复时间 | 100 ns |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 35 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向电压下降 | 1.75 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 1000V(1kV) |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | MUR1100E |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |