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  • 型号: MUN5335DW1T2
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5335DW1T2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5335DW1T2价格参考。ON SemiconductorMUN5335DW1T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5335DW1T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5335DW1T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5335DW1T2 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置双通道达林顿阵列,采用SOT-363(SC-70-6)封装。其内部集成两个NPN达林顿对,每路均内置基极-发射极和基极-电阻(典型R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),支持直接由低电平逻辑(如3.3V/5V MCU GPIO)驱动,无需外置偏置电阻。

典型应用场景包括:  
✅ 中小功率开关控制:如LED背光驱动、继电器线圈驱动、蜂鸣器控制等,单路最大连续集电极电流达100mA(IC),饱和压降低(VCE(sat) ≈ 0.3V @ 5mA IB),功耗小;  
✅ 数字接口电平转换与信号缓冲:兼容TTL/CMOS电平,增强驱动能力,用于MCU与外围高压/大电流器件间的隔离与驱动;  
✅ 电池供电便携设备:低待机电流(IB leakage < 100nA)、高直流电流增益(hFE > 1000),延长续航;  
✅ 空间受限的消费电子与工业控制板卡:6引脚微型封装节省PCB面积,适用于智能电表、传感器模块、家电控制板等。

注意:该器件不适用于高频开关(fₜ仅约100MHz)或高精度线性放大场景,设计时需注意功耗散热及输入逻辑高/低电平兼容性。
产品参数 图文手册 常见问题
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