Datasheet下载- 型号： MUN5315DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5315DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5315DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5315DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5315DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5315DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5315DW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道NPN型预偏置双极晶体管阵列（Bias Resistor Built-in Transistor, BRT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型值：R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。 其主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、ESP32）GPIO口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化外围电路（无需外接偏置电阻）。 ✅ 负载开关控制：作为低功耗、中速开关，控制电源通断或信号通路（如USB端口使能、传感器供电管理）。 ✅ 工业I/O接口：在PLC模块、传感器信号调理板中，用于隔离和电平适配，提升抗干扰能力。 ✅ 消费电子待机/唤醒电路：因关断漏电流极小（ICEO < 100 nA）、开启阈值明确，适用于电池供电设备的低功耗状态切换。 ✅ 替代传统分立BJT+电阻方案：节省PCB面积、降低BOM成本与贴装风险，提升生产一致性与可靠性。 该器件最大集电极电流IC为100 mA（每通道），VCEO = 50 V，hFE典型值为160（IC=5 mA），具备良好开关特性与温度稳定性，适用于工作温度范围−55°C ~ +150°C的工业及汽车级应用（符合AEC-Q101标准）。 注意：不适用于高频（>10 MHz）或大功率开关场景，亦不可直接驱动电机等感性重载——需配合功率器件使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5315DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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