【未分类_MUN5237DW1T1G】封装/厂家_MUN5237DW1T1G中文资料_价格

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型号： MUN5237DW1T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5237DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5237DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5237DW1T1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MUN5237DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5237DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5237DW1T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道数字晶体管（Digital Transistor, DTR），内部集成两个NPN型BJT及对应的基极偏置电阻（R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。虽常被归类为“BJT单个”，实为双路独立NPN结构，适用于低功耗、高集成度的开关与信号电平转换场景。

典型应用场景包括：  
1. 逻辑电平接口/驱动：将MCU（如3.3V/5V GPIO）输出直接驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，无需外置偏置电阻，简化PCB设计；  
2. 数字信号调理：用于I²C、UART等总线的上拉增强、电平位移或噪声抑制；  
3. 便携式设备电源管理：在手机、TWS耳机、可穿戴设备中，控制背光LED、传感器使能信号或LDO使能端；  
4. 工业IoT节点：作为PLC输入缓冲、按钮去抖、光电耦合器前端开关等，利用其内置电阻实现可靠饱和导通（hFE典型值80–120，Ic=50mA时VCE(sat)≤0.3V）。

该器件具备ESD保护（HBM≥4kV）、宽工作温度范围（–55°C ~ +150°C）及AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块）。其小尺寸与高可靠性使其成为空间受限、成本敏感型应用的理想开关元件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	ON Semiconductor
产品目录	半导体
描述	开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5237DW1T1G
产品型号	MUN5237DW1T1G
产品种类	开关晶体管 - 偏压电阻器
典型电阻器比率	2.1
典型输入电阻器	47 kOhms
功率耗散	187 mW
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	SOT-363-6
峰值直流集电极电流	100 mA
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
直流集电极/BaseGainhfeMin	80 at 5 mA at 10 V
系列	MUN5237DW1
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A