Datasheet下载- 型号： MUN5231T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5231T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5231T1价格参考。ON SemiconductorMUN5231T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5231T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5231T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5231T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）IO口直接驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； 2. 开关控制电路：在消费电子（如充电器、智能插座）、家电（风扇调速、面板指示灯）中作为低功耗开关，支持30V VCEO、100mA IC，满足多数低压直流开关需求； 3. 信号调理与反相器：利用其内置电阻构成简易反相开关电路，实现输入高电平→输出低电平的逻辑反转，常用于传感器状态指示或使能信号整形； 4. 替代传统分立偏置方案：在空间受限的便携设备（TWS耳机充电仓、IoT节点）中，可减少元件数量、提升可靠性并降低BOM成本。 该器件具备±50mA IB额定值、典型hFE为80–250，适合DC或低频（≤100kHz）开关应用，不适用于高频放大或线性稳压场景。需注意其饱和压降（VCE(sat)≈0.25V@IC=10mA）对功耗敏感设计的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5231T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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