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- 型号： MUN5116T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5116T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5116T1价格参考。ON SemiconductorMUN5116T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5116T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5116T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5116T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），无需外部偏置电路，简化设计并提升可靠性。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、Arduino）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或光耦输入端，实现3.3V/5V逻辑电平到负载的可靠开关控制。 2. 低功耗开关应用：适用于便携设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中的电源管理、信号通断控制，因内置电阻降低待机电流，提高能效。 3. 工业与家电控制电路：在智能电表、白色家电（洗衣机、空调控制板）中用作小功率负载（如蜂鸣器、指示灯、固态继电器输入级）的驱动开关。 4. 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101标准（注：MUN5116T1为通用工业级；若需车规请确认具体批次或选用MUN5116T1G等车规版本），可用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键信号调理与缓冲。 该器件具备SOT-23封装、高直流电流增益（hFE ≥ 80 @ Ic = 5mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25V @ Ic = 10mA），适合中低速（<100kHz）、中小电流（Ic ≤ 100mA）开关场景，不适用于高频放大或大功率驱动。设计时需注意功耗限制与温度降额。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5116T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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