Datasheet下载- 型号： MUN5116DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5116DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5116DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5116DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5116DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5116DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5116DW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道NPN型数字晶体管（预偏置BJT阵列），内置基极-发射极电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10kΩ），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如STM32、PIC、ESP32）GPIO直接驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗指示灯，无需外置偏置电阻，简化PCB设计。 2. 数字开关与负载控制：常用于消费电子（如打印机、机顶盒、智能家电）中控制LED背光、状态指示灯、小功率信号通断等，支持3.3V/5V TTL/CMOS输入，饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.25V @ IC=10mA），功耗小。 3. 高密度板级应用：双通道结构+微型封装，适合空间受限的便携设备（如TWS耳机充电仓、IoT传感器节点），可替代两个分立数字晶体管，提升组装效率与可靠性。 4. 电平移位与反相缓冲：每通道具备固定增益特性，可用于简单信号反相或增强驱动能力，常见于电源管理模块中的使能（EN）信号调理电路。 注意：该器件不适用于大电流（IC持续＞100mA）、高频放大或线性模拟应用；最大集电极电流为100mA（脉冲），建议工作在开关状态。需注意ESD防护及PCB散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5116DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 2" BU 100'.jpg)
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