Datasheet下载- 型号： MUN5115T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5115T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5115T1价格参考。ON SemiconductorMUN5115T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5115T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5115T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5115T1（ON Semiconductor）是一款内置基极-发射极偏置电阻的NPN型数字晶体管（预偏置BJT），常用于简化开关电路设计。其典型应用场景包括： - 逻辑电平接口转换：将微控制器（如3.3V/5V GPIO）输出直接驱动负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），无需外接偏置电阻，节省PCB空间与BOM成本。 - LED驱动：在消费电子、家电面板、状态指示灯中，用作恒流/开关控制，典型应用电流≤100mA（IC max = 100mA）。 - 信号切换与电平整形：在通信模块或传感器接口中，实现信号反相、缓冲或噪声抑制（内置R1=10kΩ、R2=10kΩ分压反馈，提供稳定导通/截止特性）。 - 低功耗待机控制：在电源管理电路中，作为使能开关控制次级LDO或外围模块供电，具备较低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25V @ IC=10mA）和快速开关特性（tf ≈ 10ns）。 - 工业I/O模块：用于PLC输入端隔离、按钮消抖、光电耦合器前端驱动等抗干扰要求适中的场合。 该器件采用SOT-23封装，适合高密度贴片布局；工作结温范围–55°C至+150°C，适用于工业及汽车电子（AEC-Q101兼容）环境。注意：不适用于线性放大或高频射频应用，且需确保输入电压不超过VBE(max)=±6V，避免反向击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5115T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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