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  • 型号: MUN2230T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2230T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2230T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2230T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN2230T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2230T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2230T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件常用于低功率开关和信号放大应用中。

典型应用场景包括:  
1. 逻辑电平转换:在不同电压的数字电路之间实现信号转换,如将3.3V信号转换为5V信号,利用其开关特性完成电平匹配。  
2. 驱动LED或小型负载:作为开关控制LED、继电器或小型指示灯,集成电阻可减少外部元件数量,提高可靠性。  
3. 便携式电子设备:广泛应用于手机、平板、可穿戴设备等空间受限产品中,因其小型化封装(如SOT-23)节省PCB面积。  
4. 电源管理电路:用于开启/关闭电源路径,实现低功耗模式控制,提升能效。  
5. 工业控制与消费类电子产品:如传感器接口、微控制器输出驱动等,提供稳定可靠的信号开关功能。

MUN2230T1G具有高增益、快速响应和良好的温度稳定性,适合高频开关和数字控制场合。其内部串联电阻配置使晶体管更易使用,避免基极悬空导致误触发,提升系统抗干扰能力。整体上,该器件适用于需要紧凑设计、高可靠性和低成本的通用开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2230T1G-

数据手册

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产品型号

MUN2230T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

3 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-59

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

1 kOhms

功率-最大值

338mW

功率耗散

230 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

1k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

直流集电极/BaseGainhfeMin

3

系列

MUN2230

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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